晶圓表面污染物分析(Wafer surface analysis)

半導體元件線寬不斷縮小,製程條件與規格緊縮下對於晶圓表面之污染物控制不容忽視,而製程中使用的聚合物所釋放出的有機揮發性物質或超純水等化學品之無機元素污染,可能殘留於晶圓表面而使產品良率下降,藉由先進之分析技術可有效的偵測其表面污染問題

晶圓表面揮發性有機化合物檢測 (Wafer Outgassing),利用紅外線加熱將晶圓表面污染物逸散,並由熱脫附儀及GC-MS 進行逸散有機污染物濃縮與分析

晶圓表面無機元素殘留檢測,利用特定配比之酸液進行晶圓表面液滴走查法將表面殘留元素萃取收集後,導入ICP-MS分析

  • 應用範圍 : 半導體製程污染確認;晶圓原物料污染分析;半導體等不良成品分析