晶圆表面污染物分析

半导体组件线宽不断缩小，制程条件与规格紧缩下对于晶圆表面之污染物控制不容忽视，而制程中使用的聚合物所释放出的有机挥发性物质或超纯水等化学品之无机元素污染，可能残留于晶圆表面而使产品良率下降，藉由先进之分析技术可有效的侦测其表面污染问题

晶圆表面挥发性有机化合物检测 (Wafer Outgassing)，利用红外线加热将晶 圆表面污染物逸散，并由热脱附仪及GC-MS 进行逸散有机污染物浓缩与分析 晶圆表面无机元素残留检测，利用特定配比之酸液进行晶圆表面液滴走查法将 表面残留元素萃取收集后，导入ICP-MS分析

 

应用范围 :半导体制程污染确认；晶圆原物料污染分析；半导体等不良成品分析