奈米粒子分析 Nanometer particle analysis
CP-MS分析奈米粒子可使能分析粒徑與濃度更低,因此可對日漸要求精密的半導體製程有更大的幫助,如微小塵粒對顯影製程會因為附著於晶圓上造成局部區域圖形缺陷;當塵粒中含有金屬成分時,經熱處理過程後,更使之擴散至晶圓中,對電性造成不良的影響
針對製程使用化學品其內含金屬塵粒種類、尺寸大小及數量分布,可有效的解析出在化學品中除了離子態金屬污染之外,金屬微小奈米粒子對製程良率影響之關鍵因素
應用範圍 : 化學品品質鑑定;半導體業等不良成品分析;製程缺陷分析

 

  • Linear of Fe Nanoparticle RM in Chemicals

  • Mixed Nanoparticle in UPW

      NIST RM : 30nm / 60nm Au

  • Analysis Capability